KARLOVSKÝ, J. Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.
Cílem této práce bylo pomoci firmě On Semiconductor v oblasti diagnostiky polovodičových součástek a řešit aktuální výrobní problémy s využitím infrastruktury CEITEC Nano. Diplomant se musel naučit ovládat zařízení pro metodu SIMS a SEM-EBIC a následně analyzovat vzorky dodané firmou On Semiconductor. Vzhledem k velkému počtu vzorků byly některé analýzy prováděny ve spolupráci s Michalem Potočkem. Výsledky měření metalických vrstev a terminačních struktur tzv. P-ringů jsou diskutovány. V práci je také podrobně popsána teorie související s výkonovými tranzistory typu TIGBT se zaměřením na metalické vrstvy a P-ringy. Autorova práce související s metodou EBIC byla finančně podpořena z fondu projektu AMISPEC. Vzhledem k dosaženým výsledkům a aktivní práci autora navrhuji práci hodnotit stupněm A.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
| Vlastní přínos a originalita | B | ||
| Schopnost interpretovat dosažené vysledky a vyvozovat z nich závěry | B | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | A | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | A | ||
| Práce s literaturou včetně citací | A | ||
| Samostatnost studenta při zpracování tématu | B |
Student se v rešeršní části práce zabývá především IGBT tranzistory z nichž vychází koncepce TIGBT. Detailně vysvětluje princip jejich činnosti a srovnává jejich vlastnosti s jinými typy tranzistorů jako jsou MOSFET a bipolární tranzistory. V další části popisuje metody TOF-SIMS a EBIC, které byly použity k analýze TIGBT tranzistorů a výkonových diod. Experimenty jsou rozděleny do dvou částí – první obsahuje velké množství TOF-SIMS 3D profilů z nichž lze porovnat vlastnosti metalizovaných vrstev připravených oběma přístroji. Zde bych autorovi vyknul nadměrně velký počet obrázků (celá práce má celkem 97 obrázků), který je na úkor přehlednosti. V druhé části byly analyzovány okrajové oblasti čipů s výkonovými diodami metodou EBIC. Práce je poměrně obsáhlá s dobrým uspořádáním jednotlivých kapitol. Student si osvojil práci na zařízeních TOF-SIMS5 a Lyra3, kde provedl značné množství experimentů. Zejména u metody EBIC musel vyřešit jak nakontaktovat správné místo na čipu použitím metod FIB a GIS. Z mého pohledu student splnil všechny body zadání bakalářské práce a doporučuji tuto práci k veřejné obhajobě.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
| Vlastní přínos a originalita | A | ||
| Schopnost interpretovat dosaž. vysledky a vyvozovat z nich závěry | A | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | A | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | B | ||
| Práce s literaturou včetně citací | B |
eVSKP id 93202