PECEN, V. Výkonové zesilovače v pevné fázi pro pásmo L [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2017.
Student prostudoval teorii výkonových vysokofrekvenčních zesilovačů. Seznámil se se současným stavem technologie výkových aktivních prvků na bázi GaAs a především GaN. Vzhledem k aplikaci zesilovače se rozhodl pro dvoustupňový zesilovač s koncovým stupněm pracujícím ve třídě C. Zesilovač je osazen tranzistory GaN on Si. Oba stupně zesilovače navrhl a simuloval jejich vlastnosti. Byl navržen rovněž motiv planárních strukur obou stupňů zesilovače. Navrhl sekvenční napájecí obvody, zajišťující prioritní přítomnost záporného předpětí hradel GaN FETů. Navrhl dolní propust na výstupu zesilovače. Oba stupně výkonového zesilovače realizoval a experimentálně ověřil dosažené parametry, které kriticky porovnal s parametry počítačových simulací. Student chodil pravidelně na konzultace a na diplomové práci po celou dobu systematicky intenzívně pracoval. Diplomová práce poskytuje prakticky využitelné výsledky a zcela splňuje zadání.
eVSKP id 102227