HOLAS, J. Memristor s PWL charakteristikou [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.
Úkolem studenta bylo seznámit se s teorií memristorů a memristivních systémů a se současným stavem vývoje emulátorů memristorů, navrhnout koncepci memristoru s třístavovou závislostí memristance na toku, navrhnout možné obvodové řešení emulátoru takového memristoru jako plovoucího dvojpólu s autonomním napájením, ověřit funkčnost SPICE simulací, navrhnout a vyrobit funkční vzorek a podpůrné obvody pro jeho testování, a experimentálně ověřit jeho funkčnost. Všechny tyto dílčí úkoly byly splněny. Student Holas byl během řešení problému iniciativní a samostatný a na konzultace přicházel s vlastními návrhy na další postupy. I když některé bloky obvodové realizace memristoru nejsou navrženy optimálním způsobem, systém jako celek je funkční a měření prokázala dobrou shodu se záměry syntézy. Oceňuji vysoké pracovní nasazení autora a jeho zaujetí pro řešený problém.
Předmětem řešení byl návrh a konstrukce memristoru se speciální závislostí memristance na toku, která vykazuje ternární stavy. Takový memristor lze charakterizovat po částech lineární konstituční relací typu náboj-tok s potenciálním využitím jako třístavové nevolatilní paměti. Výroba funkčního vzorku by umožnila zajímavé laboratorní experimenty s touto perspektivní součástkou. Podobné analogové emulátory, sestavené z komerčních integrovaných obvodů, již dnes existují, ale pouze pro emulaci tzv. TiO2 memristoru, který má zcela jiný tvar konstituční relace. Student Jiří Holas předložil k obhajobě práci v rozsahu 53 stran, v níž popisuje postupy řešení zadaného problému a dosažené výsledky. V části 1 shrnuje základní pojmy z teorie memristorů a jejich definičního popisu typickými charakteristikami. V části 2 připomíná nejznámější potenciální využití memristoru jako paměti. Nejobsáhlejší část 3 je věnována konkrétním výsledkům a postupům, které vedly k jejich dosažení. Následují povinné části typu závěr, literatura, přílohy a seznamy obrázků, použitých přístrojů a programů. K práci mám následující poznámky: 1) V přehledové části na str. 9 jsou zaměňovány pojmy "emulátor" a "mutátor". 2) Pozor na nepřesné, resp. nesprávné technické vyjadřování (např. nenulový zdroj napětí na str. 14). Obr. 1 c nepředstavuje "závislost odporu R(t)". Kromě toho je třeba specifikovat nejen závislost ČEHO, ale závislost NA ČEM. na více místech je použit termín "proudově zesilovací činitel". Termín "proudový výkon" je rovnšž nesprávný (str. 22). Co jsou to "vstupně-výstupní svorky" (str. 23)? 3) Obvodové řešení emulátoru na obr. 12 by si zasloužilo podrobnějšího vysvětlení. 4) Na obr. 10b je závislost vodivosti, ne odporu na toku. 5) V zapojení na obr. 18 chybí ošetření napájecích vývodů operačního zesilovače. 6) Str. 25 nahoře: Nechceme, aby integrátor pracoval do 15Hz, nýbrž aby vykazoval přenos 1 na tomto kmitočtu. Navržený odpor rezistoru není nutno vyjadřovat s přesností na 3 desetinná místa. 7) Str. 25 dole: v návrhovém vzorci pro R je chyba, odpor je tak navržen pro mezní frekvenci 10Hz, ne 15Hz. 8) Str. 26 nahoře: S tvrzením, že zapamatování a udržení stavu paměti bez napájení nelze z principu analogových součástek dosáhnout, lze polemizovat. Jde zřejmě o nepřesné vyjádření. 9) Str. 29 nahoře: Čím větší strmost úseku hysterezní smyčky, tím menší memristance, ne větší. 10) V rovnici (21) na str. 35 je špatně znaménko. 11) Proč jste grafické výstupy programu PSPICE fotografoval? Nebo jde o chybný text na str. 36? 12) na str. 36 jsou výsledky měření pro kmitočet 15 Hz, což opíráte o odvození z bodu 7) které je však chybné. Závěrem konstatuji, že až na výše uvedené nesrovnalosti jsem v práci nenalezl principiální chyby, které by výrazně snižovaly hodnotu dosažených výsledků. Memristor byl realizován a úspěšně testován v laboratorních podmínkách. Za dosaženými výsledky je možné tušit nejen rozsáhlé experimentální práce, ale i studium málo známé a v české literatuře nepříliš podrobně popsané problematiky. Z uvedených důvodů oceňuji práci jako takovou a dosažené výsledky považuji za solidní základ pro další výzkum.
eVSKP id 66868