HAVLÍN, R. Rekonfigurovatelná vícepásmová anténa [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.

Posudek vedoucího

Raida, Zbyněk

Diplomová práce byla zaměřena na numerické a experimentální ověření funkčnosti antény typu "planární invertované F", u níž je mezi jednotlivými pracovními pásmy (GSM, DCS, PCS, UMTS, Bluetooth, WLAN) přepínáno PIN diodami nebo FET tranzistory. Pro numerické modelování zkoumaných antén student zvolil CST Microwave Studio. Pro jednotlivá pracovní pásma vypočítal impedanční a směrové charakteristiky zkoumaných antén. Neuvádí však zde porovnání s výsledky publikovanými v literatuře. To znemožňuje odhadnout vliv parazitních vlastností přepínacích diod a tranzistorů. V následném kroku byly antény přepočítány na dostupný substrát ARLON 25N, byly optimalizovány, vyrobeny a proměřeny. Při měření bylo nutno řešit problémy s polovodičovými spínacími prvky (náhrada tranzistoru galvanickým propojením). Problematické rovněž bylo měření směrových vlastností v anténní komoře Univerzity obrany. Větší pozornost měla být věnována diskusí rozdílů mezi změřenými a vypočítanými výsledky. Zadání je splněno na průměrné úrovni. Student pracoval na projektu soustavně a samostatně. Při větší intenzitě práce a při iniciativnějším přístupu mohly být výše uvedené problémy úspěšně vyřešeny a diplomová práce mohla dosáhnout kvalitativně vyšší úrovně. K formálnímu zpracování textu diplomové práce nemám připomínky. Při práci na projektu student dominantně využíval česky psanou základní literaturu (skripta, internetové publikace).

Posudek oponenta

Goňa, Stanislav

Diplomant prokázal schopnost navrhnout a optimalizovat planární invertovanou F anténu na prakticky dostupném a rozšířeném substrátu Rogers RO4003 a Arlon 25N. U antény s přepínáním napájení bylo dosaženo dobré schody mezi simulací a měření v pásmu GSM 900, ale poměrně špatné schody v pásmu UMTS. Diplomant uvádí, že hlavním důvodem je velký výrobní rozptyl použitého kondenzátoru. To je možné, ale u kondenzátorů lze změřit kapacitu, nejprve stejnosměrně, udělat tzv. „předvýběr“ na hodnotu která se nejvíce blíží požadovanému 1pF, a poté změřit na RLC můstku, např. na 10MHz a zanést do simulace přesnou změřenou hodnotu. Dále bylo cílem DP zprovoznit GaAs FET přepínač. To se nezdařilo s odvoláním na zničení prvku z výroby, nebo elektrickým nábojem při manipulaci nebo teplem při pájení. Osobně si myslím, že mohlo nastat i obojí, při manipulaci s GaAsFEty je třeba dbát důsledného „vybíjení“ a pravidel pro elektrostatiku. Pájení těchto prvků navíc vyžaduje nepřekročit definovaný čas, cca. 2 až 3 sekundy. Práci jako celkem považuji za poměrně zdařilou někde mezi B a C. Ve výsledném hodnocení se přikláním k hodnocení B, velmi dobře.

eVSKP id 39314