YERMALAYEVA, D. Vliv radiace na vlastnosti polovodičových součástek [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2018.

Posudky

Posudek vedoucího

Musil, Vladislav

Úkolem diplomantky bylo popsat a formulovat zásady ochrany elektronických obvodů za přítomnosti radiačního záření. Hlavním přínosem práce je detailní rozbor radiačních vlivů na vlastní polovodičový materiál, na přechod PN a polovodičové součástky a návrhy na omezení těchto vlivů. Téma práce souvisí se širším zadáním původně řešeným pro praxi a jednalo se o náročný projekt. Výsledky práce mohou být velmi užitečné pro návrh elektronických zařízení pro satelity na nízké oběžné dráze. Předložená práce má logické členění na kapitoly a má dobrou formální a grafickou úroveň. Objem získaných informací a dat umožňuje širší diskusi a získání důležitých závěrů pro praxi. Zadání práce bylo splněno. V literatuře získané a zpracované výsledky z měření součástek a dále simulační experimenty v programu PSpice jsou připraveny pro další etapu práce se zadávající firmou. Rešerše ohledně návrhu dozimetru s křemíkovou diodou ukazuje složitost projektu, zvláště ve vyhodnocovací části, zodpovědná realizace by vedla na další diplomovou práci. Studentka pravidelně přicházela na konzultace a k práci využívala odpovídající množství literatury, kterou cituje také v textu. Závěrem konstatuji, že zadání práce bylo rozsáhlé a náročné na samostatnou činnost diplomantky a bylo splněno na dobré úrovni. Předložená práce prokazuje schopnost inženýrské práce, text odpovídá požadavkům na kvalitu práce v magisterském studiu. Proto doporučuji práci k obhajobě a navrhuji klasifikaci známkou velmi dobře (85 bodů/B).

Navrhovaná známka
B
Body
85

Posudek oponenta

Šteffan, Pavel

Studentka Bc. Darya Yermalayeva vypracovala diplomovou práci na téma „Vliv radiace na vlastnosti polovodičových součástek“. Obsahově je práce rozdělena na dvě základní části. V teoretické části jsou popsány různé druhy ionizujícího záření, degradační procesy, které se vyskytují v polovodičích, jejich vliv na provoz diod, tranzistorů a integrovaných obvodů. Praktická část je zaměřena na možnosti simulace a modelování radiačních efektů v programu PSpice. Mimo úvod a závěr je práce členěna do pěti kapitol, které na sebe vhodně navazují. I přes velkou složitost vybrané problematiky je možné konstatovat, že práce působí uceleným dojmem s výstupy, odpovídajícími možnostem univerzitní laboratoře. Po formální stránce je práce na dobré úrovni, vhodně doplněna o ilustrační obrázky. Textová úprava trochu zaostává za předložených technickým řešením. Práce obsahuje gramatické chyby, převážně ve skloňování. Práce splňuje zadání v celém rozsahu. Při řešení studentka prokázal své odborné znalosti a orientaci v dané problematice. Vzhledem k výše uvedeným skutečnostem práci doporučuji k obhajobě.

Navrhovaná známka
B
Body
82

Otázky

eVSKP id 112221