SALÁŠEK, J. Analogové funkční bloky fraktálního řádu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Práce se věnuje popisu fraktálních kmitočtových filtrů využívajících různé typy aktivních prvků. V práci jsou uvedeny dva přístupy k návrhu a to využitím fraktálního pasivního prvku aproximovaného vhodnou RC strukturou a aproximací fraktální přenosové funkce systémem celočíselného řádu. Řešením využívající vhodnou RC strukturu je věnována jen velmi omezená pozornost, kdy autor prezentuje jediné a jednoduché řešení fraktálního integračního členu s řádem 0,3 dle [6]. Přestože autor sám uvádí, že hodnoty jednotlivých pasivních prvků RC struktury z [7] jsou nevhodné, bez vlastního návrhu či pokusu nalézt vhodnější řešení je plně přebírá. Protože nejsou nijak diskutovány očekávané vlastnosti konečného řešení, tj. především charakteristický kmitočet filtru, výsledky simulací uvedené na obr. 3.3 není možné nijak posoudit a ani autor se dosaženým výsledkům nevyjadřuje. Ani čtenář není schopen činnost uvedeného zapojení ověřit, protože hodnota rezistoru R6 není uvedena. Oblast aproximace fraktální přenosové funkce systémem celočíselného řádu byla autorem vůči předešlé podobě závěrečné práce doplněna o další obvodová řešení, kdy je celkem uvedeno pět struktur realizujících dolní nebo horní propust pracující v napěťovém nebo proudovém režimu. Po uvedení přenosových funkcí a numerickém návrhu hodnot pasivních prvků jsou tyto obvody simulovány. Symbolické vyjádření některých rovnic je nesprávné, kdy se autor dopustil chyb při kopírování vzorců (viz např. shodnost (5.2) a (6.2)). Diskuze k získaným výsledkům všech řešení je dosti omezená. Přestože je z tabulek porovnávajících teoretickou hodnotu fáze a získanou simulacemi patrný značný rozdíl (i 33% viz Tab. 8.2 pro alfa=0,7) autor tuto skutečnost nijak nekomentuje. Není tak jasné, zda se jedná o nejlepší získané výsledky a další optimalizace hodnot pasivních prvků již není možná. Vybrané řešení bylo již v rámci předešlé verzi závěrečné práce realizováno prakticky a podrobeno experimentálním měřením. I přes uvedené výsledky je diskuze i v tomto případě také minimální a nově se omezuje se pouze na „Porovnání výsledku měření s ideálním průběhem a s průběhem simulace z kapitoly 5 je v grafech 9.3, 9.4 a 9.5.“
Student ve své práci představil možnosti řešení kmitočtových filtrů fraktálního řádu. Od první odevzdané verze je na práci vidět zlepšení, avšak stále obsahuje řadu chyb a nedostatků. Seznámení s teorií a vlastnostmi filtrů fraktálního řádu je jen velmi stručné. Nedostatečné je také vysvětlení přístupu k návrhu fraktálního filtru s použitím impedance fraktálního řádu. Fraktální impedance je nevhodně použita v integrátoru (obr. 3.1) a jsou v ní velmi vysoké kapacity (až 370 kF). Velmi nevhodně zpracovaný a zřejmě chybný je obr. 3.3 a navíc není slovně popsaný. Naopak přístup k návrhu s využitím aproximace přenosové funkce fraktálního řádu funkcí celočíselného řádu je mechanicky zopakován na pěti obvodech, což není vhodné. Není jasné, zda jsou použité obvody navrženy studentem či převzaty. Při simulacích není uvedeno, jaké modely aktivních prvků byly použity, a také chybí slovní hodnocení výsledných charakteristik. Literatura není citována podle normy a chybí mnoho relevantních zdrojů o problematice. Práci hodnotím známkou E (50 bodů).
eVSKP id 96141