FIALA, Z. Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Práce se zabývá obvodovým návrhem a praktickým ověřením činnosti budiče pro rychlé spínací tranzistory GaN MOSFET, které vyžadují atypické napěťové úrovně spínacího signálu, minimální parazitní kapacitu galvanického oddělení a minimální zpoždění přenášeného signálu. Pokusně byly realizovány dvě varianty zapojení, obě se současným přenosem signálu i budicí energie impulsním transformátorkem. Dále byl realizován můstkový jednočinný propustný měnič s transformátorem používající tranzistory GaN MOSFET a navržené budiče. Odborné hodnocení: Diplomant úspěšně navrhl budiče a ověřil jejich funkčnost kompletní realizací exotického laboratorního vzorku výkonového měniče (600W) s tranzistory GaN MOSFET se spínacím kmitočtem cca 800 kHz. Diplomant pracoval velmi intenzivně, s odhodláním a nasazením a podařilo se mu práci úspěšně dokončit. Během realizační fáze se občas potýkal s nedostatečnou praxí při řemeslných úkonech, které bylo třeba provést, přesto však je výsledkem přípravek, který přináší mnohá poučení v oblasti technologie GaN. Formální hodnocení: Práce je sepsána pečlivě, čtivě a má dobrou grafickou úroveň. Celkově práci doporučuji k obhajobě.
Diplomová práce zpracovává problematiku GaN výkonových tranzistorů a jejich aplikaci ve spínaném zdroji s velmi vysokým spínacím kmitočtem. Daná problematika je nová a poměrně málo publikovaná, a o to je pro studenta obtížnější se v ní orientovat. Proto cenné zkušenosti získané při realizaci a zpracované v diplomové práci jsou jistě hlavním přínosem studenta k dané problematice. Práce je logicky uspořádána a jednotlivé body návrhu a realizace zařízení jsou systematicky a podrobně popisovány v jednotlivých kapitolách. Autor dobře pracuje s literaturou a přehledně se na ni odkazuje. Z formálního hlediska se v práci objevují drobné překlepy a zavádějící formulace. Naprosto nevyhovující je zpracování některých oscilogramů, viz str. 32, Obr. 17 – 18 a další. I přes výše uvedené nedostatky práci hodnotím velmi pozitivně a doporučuji k obhajobě.
eVSKP id 91240