VARHANÍK, J. Návrh přesné napěťové reference s velmi malou spotřebou v technologii BiCMOS 180 nm [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.
S ohledem na informace konzultanta uvedené práce Ing. Jana Matěje z firmy onsemi lze konstatovat, že: Cílem zadané práce bylo navrhnout přesnou napěťovou referenci s velmi malou spotřebou tak, aby nebylo zapotřebí použít wafer nebo in-package trimming.V běžné praxi lze dosáhnout přesnosti ±1% ovšem za cenu spotřeby v řádu jednotek A. Úkolem tak bylo dosáhnout podobné přesnosti avšak s co nejmenší spotřebou. Vzhledem ke značné volnosti zadání je třeba ocenit, že student Jiří Varhaník přistoupil k řešení velmi svědomitě. Nejdříve srovnal používané typy referencí a vybral z nich nejpřesnější typ – bandgap referenci podle Paula Brokawa. Tuto referenci poté upravoval pro co nejvyšší přesnost při nízké spotřebě. Součástí návrhu byla také snaha o rozumnou plochu obvodu, tento parametr však nakonec v práci zmíněn není, což bych označil za drobný nedostatek. Student dále navrhnul sample and hold systém pro možnost spínání reference, díky čemuž je možné radikálně snížit spotřebu. Zde bych zvlášť vyzdvihnul inovativní přístup k řešení problému znovudobíjení referenčního bloku při fázi zapnutí a samplování. Obvod je odpojen jak od napájení tak země, přičemž potenciál uzlů reference je podpořen další kapacitou. Student si také uvědomil nebezpečí tohoto řešení, kdy vysokoimpedanční uzly zvláště v n-well částech polovodiče mohou snadno vést k latch-upu struktury. Proto využil možností dané technologie a citlivé uzly zaizoloval. Podobně svědomitě si vedl při simulacích. Nekladl důraz pouze na hlavní parametry obvodu, ale rovněž zkoumal okrajové podmínky jako je výpadek napájení či náhlé resetování a zajistil, aby se řídící signály vždy dostaly do výchozího stavu. K teoretické části byl doložen potřebný rozsah odborné literatury. Student během práce po celou dobu pravidelně konzultoval své poznatky a přicházel s inovativními nápady. S prací jsem velmi spokojen. Dosažené parametry spotřeby (80 nA) a přesnosti pod 1% jsou vynikající. Navržené řešení bude s určitými úpravami implementováno jako reálná struktura na křemík a má tedy také reálný přínos pro onsemi.
Student si vybral zajímavé téma z průmyslu, které je aktuální a přínosné pro řešení. Hned na úvod konstatuji, že práce byla vyřešena a všechny dílčí úkoly byly splněny, což potvrzuje i společnost, ze které bylo téma zadáno. Po odborné stránce není co práci vytknout. Diplomant prokázal své dobré odborné znalosti, systematicky popisuje návrh jednotlivých bloků. Zde vidím jako problém absenci jakýchkoli výpočtů potřebných pro návrh. Ověření funkčnosti je vždy potvrzeno simulacemi a řadou grafů a tabulek simulovaných hodnot. Po formální stránce mám několik výtek. Není možné, aby součástí kapitoly jen obrázek nebo tabulka bez jakéhokoli doprovodného textu - kap. 4.1., 4.3.5., 4.4., 5.1. a řada dalších napříč celou prací, veličiny mají mít indexy i ve schématech, v hlavním textu je příliš mnoho různách tabulek a grafů - řada z nich by spíše patřila do příloh DP, v řadě případů používá student hovorové odborné výrazy, a to i v angličtině. Schémata jsou nejednotná. Klasické chyby jako např. řídící, text psaný v první osobě atd. Těžko se určuje rozdíl mezi vlastní prací diplomanta a co je převzato - místy chybí citace zdrojů. Pouze 7 referencí se také nejeví jako dostatečná rešeršní práce. Vzhledem k výše uvedeným skutečnostem musím konstatovat, že zejména formální nedostatky kvalitu práce dost srážejí. Proto navrhuji hodnocení C.
eVSKP id 152483