ŠŤASTNÝ, J. Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7 [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2023.
Student se během bakalářske práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k růstu 2D GaN nanokrystalů na substrátu Si(111) 7x7. V první fázi byl student nucen opětovně zprovoznit zařízeni pro přípravu povrchu Si(111) 7x7 a nalézt vhodné podmínky pro růstu 2D GaN nanokrystalů. Následně byla připravena série vzorku GaN nanokrystalů připravených pod různými úhly dopadu iontů dusíku. Na těchto vzorcích byly studovány růstové vlastnosti GaN především pomocí metod AFM a SEM. Výsledky mají potenciál pro budoucí publikaci v odborném časopise. Student vykazoval zájem o danou problematiku a pracoval samostatně. Práce studenta byla intenzivní a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
| Vlastní přínos a originalita | A | ||
| Schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry | B | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | B | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | B | ||
| Práce s literaturou včetně citací | B | ||
| Samostatnost studenta při zpracování tématu | A |
Bakalářská práce se zabývá přípravou 2D GaN. Obsahuje poměrně obsáhlou a čtivou rešeršní část od GaN i o jeho dvoudimenzionální formě a je vidět, že student odvedl hodně experimentální práce v laboratoři. Na druhou stranu má práce i některé nedostatky. Úroveň práce by zvýšilo zasazení do kontextu předchozího výzkumu v této oblasti na ÚFI FSI VUT, lepší popis vyhodnocování některých výsledků a statistik, použití dalších charakterizačních metod (například nějaké spektroskopie umožňující materiálovou analýzu). Zcela pak chybí jakákoliv optická analýza připravených vzorků, přestože je součástí třetího cíle v zadání bakalářské práce. Práce taktéž obsahuje menší množství pravopisných (např. str. 29 "ostrůvky se vytvořili") a typografických (např. str. 10 "písmeno x místo symbolu krát", str. 19 spojovník místo pomlčky, str. 24 proměnné v textu nejsou kurzívou, ve zkratkách kapitol v záhlaví "GaN" vysázen jako "GAN", nelogické číslování citací v úvodu) chyb. Ne zcela ideální je taktéž používání termínů "LD dioda" a "LED dioda" v nichž slovo dioda je již zahrnuto v písmeně D zkratky (byť sousloví LED dioda je běžně v českém jazyce používáno). Stejně tak není ideální nazývat odborné časopisy slovem "deníky". Z obsahových nedostatků nelze nezmínit některé obrázky s nedostatečnou vypovídající hodnotou (např. Obr. 3.3: chybějící okótování vodorovné osy; Obr. 4.3: není zřejmé o jaký atomární zdroj jde, jde-li o dusíkový měly by být již na substrátu kuličky Ga; Obr. 4.5: chybějící výšková škála u AFM měření) či nedostatečným popisem experimentu (u SEM obrázků není zřejmé, jaký signál autor použil - jestli sekundární či např. zpětně odražené elektrony; stejně tak není zřejmé na základě čeho byla udělána materiálová analýza v Obr. 4.1) díky čemuž nemusí být jednoduché tyto experimentální výsledky v budoucnu zreprodukovat. I přes zmíněné nedostatky je práce srozumitelná a její výsledky budou přínosné v dalších experimentech s 2D GaN. Celkově práci hodnotím jako dobrou a doporučuji ji k obhajobě.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | B | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | D | ||
| Vlastní přínos a originalita | C | ||
| Schopnost interpretovat dosaž. výsledky a vyvozovat z nich závěry | D | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | B | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | C | ||
| Práce s literaturou včetně citací | B |
eVSKP id 149085